Welcome to EverybodyWiki 😃 ! Nuvola apps kgpg.png Log in or ➕👤 create an account to improve, watchlist or create an article like a 🏭 company page or a 👨👩 bio (yours ?)...

Ультранизькочастотний резонанс у МДН-транзисторах (квантовий розгляд)

Матеріал з EverybodyWiki Bios & Wiki
Перейти до:навігація, пошук

[[Категорія:Статті, які можуть містити оригінальне дослідження з Помилка скрипту: Не існує модуля «String».]]

[[Категорія:Статті, в яких потрібно виправити стиль з Помилка скрипту: Не існує модуля «String».]]

Ультра- низькочастотний резонанс (УНР) в МДН- транзисторах

Очевидно, що параметр товщини поверхневих МДН- ємкості та індуктивності є наслідком квантових процесів на поверхні кремнію. Тут можна використати типові умови для квантизації швидкості:

,

для квантової системи поверхневих зарядів. Цю умову можна переписати для простого резонансного контуру на поверхні кремнію у вигляді:

де та - числа, котрі враховують кількість паралельно з'єднаних 2Д- елементів . Оскільки реактивні параметри та відомі із експериментальних рельтатів, тому ми можемо знайти граничну резонансну частоту:

Використовуючи попередню умову можна знайти активний елемент поверхні для типового МДН- транзистора:

величина якого рівна при є близька до металургійної поверхні МДН_ транзисторів КП304А (для КП301Б буде при ). Тепер можна пояснитти різницю у величинах для КП301Б наступним чином. Як відомо, паралельне з'єднання ємкостей дає:

де . Аналогічним чином знаходимо індуктивність поверхні:

де . Очевидно, що одночасне послідовне з'єднання індуктивностей та паралельне ємкостей дасть таку саму величину товщини , і тому маємо двократне фіктивне збільшення металургійної МДН- поверхні (випадок транзистора КП301Б). Цей розгляд підкреслює квантовий характер описаного феномену, оскільки паралельне з’єднання ємкостей в класичному випадку веде до відповідного паралельного з"єднання відповідних індуктивностей.

Металургійна площа досліджуваних МДН- транзисторів була:

.

Товщини ємкостей цих же транзисторів були:

.

Товщини поверхневих індуктивностей цих же транзисторів:

.

Мезоскопічний квант поверхневої площі МДН- транзистора має мікроскопічних параметрів решітки :

де - постійна решітки кремнію.

Природа виникнення мезоскопічних квантів, таких як елемент площі , поверхневої ємкості можна пояснити наступним чином. Формально можна ввести Борівську ємність атома у вигляді:

де - Борівський радіус атома. Помноживши величину на число елементів решітки, можна знайти оцінку для повної ємкості поверхні кремнію:

величина якої такого порядку, як і експериментально визначена ємкість , де (). Різниця між значеннями цих ємкостей може бути віднесена на рахунок відносної діелектричної проникності .

Із сказаного вище, випливає, що МДН- низькочастотні ємкості пов'язані із поверхнею розділу . Більше того, ця поверхнева ємкість визначається квантовими процесами, що мають місце в 2Д- системі, котра формується поверхневою решіткою атомів кремнію (модель першого порядку, яка розглядає подібні ефекти, пов'язана із квантовим ефектом Шоткі).

Див. також[ред.]

  • УНР в МДН- транзисторах (класичний розгляд)
  • Квантовий ефект Шотткі

Література[ред.]

  • Yakymakha O.L., Kalnibolotskij Y.M., Solid- State Electronics, vol.37, No.10,1994.,pp.1739-1751
  • Timir Datta, Raphael Tsu "Quantum Wave Resistance of Schrodinger functions", QWI_LANL2.19.Nov.2003

Посилання[ред.]


This article "Ультранизькочастотний резонанс у МДН-транзисторах (квантовий розгляд)" is from Wikipedia. The list of its authors can be seen in its historical and/or the page Edithistory:Ультранизькочастотний резонанс у МДН-транзисторах (квантовий розгляд).



Read or create/edit this page in another language

Куки допомагають нам здійснювати наші сервіси. Використовуючи наші сервіси, Ви погоджуєтесь на використання куків.

Welcome to EverybodyWiki 😃 ! Nuvola apps kgpg.png Log in or ➕👤 create an account to improve, watchlist or create an article like a 🏭 company page or a 👨👩 bio (yours ?)...